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　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公七七事变的简介50字，七七事变的简介思维导图室依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng七七事变的简介50字，七七事变的简介思维导图)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAN七七事变的简介50字，七七事变的简介思维导图D Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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