大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品16英寸是多少厘米，16英寸是多少厘米长p>

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储(chǔ)业(yè)务16英寸是多少厘米，16英寸是多少厘米长占比较(jiào)高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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